VN7003ALHTR इलेक्ट्रॉनिक्स ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए करंट सेंस एनालॉग फीडबैक के साथ सिंगल चैनल 3 mOhm हाई-साइड ड्राइवर से संबंधित है।
उत्पाद की विशेषताएँ
टाइप
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मुख्य उत्पाद विशेषताएं
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VN7003ALHTR
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AEC-Q100 योग्य
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डीप कोल्ड क्रैंकिंग अनुप्रयोगों के लिए अत्यधिक कम वोल्टेज ऑपरेशन (LV124 के अनुरूप, संशोधन 2013)
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सामान्य
करंटसेंस एनालॉग फीडबैक के साथ सिंगल चैनल स्मार्ट हाई-साइड ड्राइवरï
-बहुत कम स्टैंडबाय करंट
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उत्पाद सुरक्षा
2.1 शक्ति सीमाइस सुरक्षा के मूल कार्य सिद्धांत में डिवाइस की सतह पर स्थानिक तापमान प्रवणता के प्रत्यक्ष माप के माध्यम से जंक्शन तापमान स्विंग ÎTj का अप्रत्यक्ष माप होता है ताकि ÎTj से अधिक होते ही आउटपुट MOSFET को स्वचालित रूप से बंद कर दिया जा सके। ÎTj_SD का सुरक्षा स्तर। FR_DIAG पिन पर वोल्टेज स्तर के अनुसार, आउटपुट MOSFET अधिकतम तात्कालिक शक्ति के अनुसार थर्मल हिस्टैरिसीस के साथ स्विच ऑन और साइकिल करता है जिसे संभाला जा सकता है (FR_DIAG = Low) या बंद रहता है (FR_DIAG = High)। संरक्षण तेजी से थर्मल क्षणिक प्रभावों को रोकता है और इसके परिणामस्वरूप, थर्मो-मैकेनिकल थकान को कम करता है। 3.2
2.2 थर्मल शटडाउनयदि डिवाइस का जंक्शन तापमान अधिकतम अनुमत सीमा (आमतौर पर 175 डिग्री सेल्सियस) से अधिक हो जाता है, तो यह स्वचालित रूप से बंद हो जाता है और नैदानिक संकेत चालू हो जाता है। FR_DIAG पिन पर वोल्टेज स्तर के अनुसार, जैसे ही इसका जंक्शन तापमान TR (FR_DIAG = Low) तक गिर जाता है या बंद रहता है (FR_DIAG = High) डिवाइस फिर से चालू हो जाता है।
2.3 वर्तमान सीमासिलिकॉन के साथ-साथ सिस्टम के अन्य घटकों (जैसे बॉन्डिंग वायर, वायरिंग हार्नेस, कनेक्टर, लोड, आदि) को अत्यधिक करंट फ्लो से बचाने के लिए डिवाइस एक आउटपुट करंट लिमिटर से लैस है। नतीजतन, शॉर्ट सर्किट, ओवरलोड या लोड पावर-अप के दौरान, आउटपुट करंट को सक्रिय क्षेत्र में आउटपुट पावर MOSFET को संचालित करके सुरक्षा स्तर, ILIMH पर क्लैंप किया जाता है।
2.4 नकारात्मक वोल्टेज क्लैंपयदि डिवाइस आगमनात्मक लोड चलाता है, तो आउटपुट वोल्टेज बंद होने के दौरान नकारात्मक मान तक पहुंच जाता है। एक नकारात्मक वोल्टेज क्लैंप संरचना अधिकतम नकारात्मक वोल्टेज को एक निश्चित मूल्य, वीडीईएमएजी तक सीमित करती है, जिससे डिवाइस को नुकसान पहुंचाए बिना प्रारंभ करनेवाला ऊर्जा समाप्त हो जाती है।
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